STW8N90K5

STW8N90K5是ST意法半导体MDmesh K5系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3封装。该器件核心优势在于其900V的高漏源电压（V_DSS）额定值，结合8A的连续漏极电流（I_D）处理能力，为高压应用提供了坚实的保障。

其技术亮点在于实现了低导通损耗与快速开关特性的优化平衡，最大功率耗散为130W（T_C），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的稳定运行与高可靠性。这款MOSFET是设计高效、紧凑型高压电源和电机驱动系统的关键组件。

• 型号:STW8N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 8A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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