STD35NF06T4技术参数详情：
STD35NF06T4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用STripFET II技术制造，封装形式为DPAK。其核心优势在于优异的导通与开关特性平衡，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(On)）低至20毫欧（@17.5A），能显著降低导通损耗，提升系统效率。
该器件额定漏源电压（Vdss）为60V，连续漏极电流（Id）高达35A，具备强大的功率处理能力。其栅极电荷（Qg）最大值仅为60nC，有助于实现快速开关并降低驱动需求。宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）与80W的功率耗散能力，确保了其在苛刻环境下的高可靠性，适用于各类高效的电源转换和电机驱动应用。
- 型号:STD35NF06T4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 60V 35A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 17.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1300 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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