STL11N65M5技术参数详情：
STL11N65M5是ST意法半导体推出的一款采用PowerFLAT封装的N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件设计用于高电压、高频率的开关应用，其核心优势在于结合了650V的高漏源电压（Vdss）与低至530毫欧的导通电阻（Rds(on)），在提供强大电压阻断能力的同时，有效降低了导通损耗。
此外，其极低的栅极电荷（Qg典型值17nC）和输入电容确保了快速的开关特性，有助于提升系统效率并降低驱动需求。器件在25°C壳温下可支持8.5A的连续漏极电流，并采用热增强型表面贴装封装，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，为设计紧凑、高效的电源解决方案提供了可靠的半导体开关选择。
- 型号:STL11N65M5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerFLAT（5x5）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 8.5A POWERFLAT
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:530 毫欧 @ 4.25A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:644 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PowerFLAT（5x5）
- 封装/外壳:8-PowerVDFN
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