STD38NH02LT4技术参数详情：
STD38NH02LT4是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，采用STripFET III技术与DPAK表面贴装封装。其核心优势在于极低的导通电阻（13.5mΩ @10V, 19A）与高达38A的连续漏极电流处理能力，旨在最大限度地降低传导损耗，提升系统能效。
器件设计适用于5V至10V的标准栅极驱动，开关特性由较低的栅极电荷（24nC）定义，有助于实现高效的功率切换。24V的漏源电压额定值使其成为12V/24V电源总线系统中同步整流、电机驱动和负载管理的可靠选择。其坚固的设计支持-55°C至175°C的宽结温工作范围，确保了在苛刻环境下的稳定运行。
- 型号:STD38NH02LT4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 24V 38A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:24 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):38A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:13.5 毫欧 @ 19A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1070 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:40W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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