STD3NK60Z-1

STD3NK60Z-1是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用MOSFET（金属氧化物）技术，核心额定参数为600V漏源电压（Vdss）与2.4A的连续漏极电流（Id），专为高压开关应用而设计。

其技术亮点在于实现了低导通电阻与快速开关特性的良好平衡。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）表现优异，有助于降低通态损耗。同时，优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）参数有利于提升开关速度并减少驱动损耗。器件采用通孔式I-PAK封装，最大功耗为45W（Tc），工作温度范围宽广（-55°C ~ 150°C TJ），确保了在多种环境下的可靠性与散热能力。

• 型号:STD3NK60Z-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
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