STD40P3LLH6

STD40P3LLH6是ST意法半导体推出的一款P沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET H6产品系列。该器件采用MOSFET技术，额定漏源电压（V_DSS）为30V，在壳温条件下可支持高达40A的连续漏极电流。

其核心优势在于优异的开关性能与低损耗特性。在10V V_GS驱动下，导通电阻（R_DS(on)）低至15毫欧（@20A），同时栅极电荷（Q_G）最大值仅为24nC（@4.5V），这共同确保了高效的功率转换与快速的开关速度。器件采用DPAK表面贴装封装，工作结温范围覆盖-55°C至175°C，适用于要求高可靠性的功率管理应用。

• 型号:STD40P3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 40A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:15 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2615 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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