STS3DNE60L技术参数详情：
STS3DNE60L是ST意法半导体推出的一款采用8-SOIC封装的表面贴装型双N沟道功率MOSFET阵列，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件集成了两个独立的逻辑电平门MOSFET，漏源电压（Vdss）为60V，每通道连续漏极电流（Id）达3A，具备优异的电气性能。
其核心优势在于极低的导通电阻（RDS(on)典型值80mΩ @ 10V）与优化的开关特性。较低的栅极阈值电压（Vgs(th) ≤ 1V）支持直接由微控制器驱动，而较小的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）确保了快速的开关响应，有助于提升系统效率并降低开关损耗。这些特性使其成为空间紧凑型电源管理、电机驱动及多路开关应用的理想选择。
- 型号:STS3DNE60L
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 60V 3A 8SOIC
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:2 N-通道（双）
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）:60V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 1.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.5nC @ 4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:815pF @ 25V
- 功率 - 最大值:2W
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:8-SOIC
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