STD45N10F7技术参数详情：
STD45N10F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于采用DeepGATE技术的STripFET VII系列。该器件采用DPAK封装，额定漏源电压为100V，在壳温25°C时连续漏极电流可达45A，具备高电流处理能力。
其核心电气参数表现出色，在10V驱动电压下导通电阻（Rds(On)）典型值低至18毫欧，有助于显著降低传导损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为25nC，有利于实现快速的开关切换并降低驱动损耗，提升整体系统效率。器件工作结温范围宽达-55°C至175°C，适用于要求高可靠性的工业环境。
- 型号:STD45N10F7
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 100V 45A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):45A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 22.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1640 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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