STFH10N60M2技术参数详情：
STFH10N60M2是ST意法半导体MDmesh产品系列中的一款有源N沟道功率MOSFET。该器件采用TO-220FP封装，核心参数包括600V的漏源电压（Vdss）和7.5A的连续漏极电流（Id），为高压功率开关应用提供了坚实的基础。
其技术亮点在于应用了MDmesh M2技术，实现了低至600毫欧（@9A，10V）的导通电阻与13.5nC（@10V）的低栅极电荷的优异组合。这一特性使其在导通损耗和开关损耗之间取得了良好平衡，有助于提升系统整体效率。结合其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C），该器件是设计高效、紧凑型开关电源和功率转换电路的理想选择。
- 型号:STFH10N60M2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FPAB
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 9A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.5 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:400 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FPAB
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
- 现在可以订购STFH10N60M2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
