STD4NK50ZD技术参数详情：
STD4NK50ZD是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET。该器件核心优势在于其500V的高漏源电压（Vdss）额定值与较低的导通电阻（Rds(on)）相结合，在1.5A电流和10V栅极驱动下，Rds(on)典型值仅为2.7欧姆，有效降低了功率传导损耗。
同时，其极低的栅极电荷（Qg最大12nC）和输入电容特性，确保了快速的开关切换速度，有利于提升高频开关电源的效率并降低电磁干扰（EMI）。器件采用DPAK表面贴装封装，最大功耗45W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于对可靠性和效率有较高要求的工业级与消费类电源设计。
- 型号:STD4NK50ZD
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 500V 3A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.7 欧姆 @ 1.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:310 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
- 现在可以订购STD4NK50ZD，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
