STP9NM40N

STP9NM40N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220封装，属于其高性能MDmesh II系列。该器件核心规格为400V漏源电压（V_DSS）和5.6A连续漏极电流（I_D），为离线电源应用提供了坚实的电压与电流基础。

其技术亮点在于优异的动态性能平衡：790毫欧的低导通电阻（R_DS(on)）确保了低通态损耗，而仅14nC的栅极电荷（Q_G）则有利于实现高速开关并降低驱动损耗。这些特性使其在要求高效率与高频率的开关电源拓扑中表现出色，例如作为初级侧主开关管或用于功率因数校正电路。

• 型号:STP9NM40N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 400V 5.6A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:400 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:790 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:14 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:365 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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