STD4NK80Z-1技术参数详情：
STD4NK80Z-1是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心优势在于结合了800V的高漏源电压（Vdss）与优化的导通电阻特性，在3A的连续漏极电流（Id）下能实现高效的电能转换。
该MOSFET采用I-PAK通孔封装，具备出色的热管理能力，最大功率耗散可达80W（Tc）。其电气参数针对开关性能进行了深度优化，例如较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），这有助于降低开关损耗并提升工作频率。宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C TJ）确保了其在各种环境条件下的稳定性和长寿命，使其成为工业级电源和功率控制设计的可靠选择。
- 型号:STD4NK80Z-1
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-251（IPAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 800V 3A IPAK
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:800 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 1.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22.5 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:575 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-251（IPAK）
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
- 现在可以订购STD4NK80Z-1，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
