STD52P3LLH6

STD52P3LLH6是ST意法半导体推出的一款采用STripFET H6技术的P沟道功率MOSFET。该器件在30V的漏源电压（VDSS）额定值下，能够提供高达52A的连续漏极电流，并实现了极低的导通电阻（典型值12mΩ @ 10V VGS），旨在最大限度地降低传导损耗。

其优化的栅极特性，包括低至33nC的栅极电荷（Qg）和2.5V的最大栅极阈值电压（VGS(th)），确保了快速、高效的开关性能，并兼容低电压驱动。封装于标准的表面贴装DPAK中，并支持高达175°C的结温，使其成为要求高可靠性、高效率的同步整流、电机驱动和负载开关等应用的理想选择。

• 型号:STD52P3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 52A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):52A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:12 毫欧 @ 26A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3350 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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