STD95NH02LT4技术参数详情：
STD95NH02LT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件采用DPAK封装，核心规格包括24V的漏源电压（Vdss）以及在壳温条件下高达80A的连续漏极电流（Id）处理能力。
其技术亮点在于极低的导通电阻与栅极电荷。在10V Vgs、40A Id条件下，其导通电阻最大值仅为5毫欧，有效降低了导通损耗。同时，5V驱动下的最大栅极电荷仅为17nC，这确保了器件具备快速的开关响应，有助于提升开关电源的整体效率并降低驱动电路复杂度。这些特性使其成为高效率、高密度DC-DC转换和电机驱动应用的优选功率开关解决方案。
- 型号:STD95NH02LT4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 24V 80A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:24 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5 毫欧 @ 40A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2070 pF @ 15 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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