STD55NH2LLT4

STD55NH2LLT4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用STripFET技术和DPAK表面贴装封装。其核心电气参数针对24V电压系统的效率优化，在10V V_GS下提供低至11毫欧的导通电阻（R_DS(on)），并支持高达40A的连续漏极电流，能显著降低导通损耗。

器件具备快速的开关性能，最大栅极电荷（Q_g）仅为11nC，有助于提升开关频率并减少驱动损耗。其工作结温范围宽达-55°C至175°C，确保了在苛刻环境下的稳定性和可靠性。这些特性使其成为同步整流、电机驱动及负载管理等中低压、高电流开关应用的紧凑型高效解决方案。

• 型号:STD55NH2LLT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 24V 40A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:24 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 20A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:990 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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