STP9NK50Z技术参数详情：
STP9NK50Z是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装。其核心优势在于高达500V的漏源电压（Vdss）和7.2A的连续漏极电流能力，为高压功率开关应用提供了坚实的基础。
该器件通过优化的技术实现了低至850毫欧的导通电阻（Rds(on)），有效降低了导通损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为32nC，确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗，有利于提升系统整体效率。宽广的-55°C至150°C工作结温范围和110W的功率耗散能力，进一步保障了其在严苛环境下的可靠性与稳定性。
- 型号:STP9NK50Z
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 500V 7.2A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.2A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:850 毫欧 @ 3.6A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:32 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:910 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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