STD5N60DM2技术参数详情：
STD5N60DM2是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，采用MDmesh DM2技术，封装为表面贴装型DPAK。其核心电气参数包括600V的漏源电压（Vdss）和3.5A的连续漏极电流（Id），为高压中等电流应用提供了坚实的基础。
该器件的关键优势在于优异的动态与静态性能平衡。其导通电阻（Rds(on)）在10V驱动电压下最大值仅为1.55欧姆，有助于降低导通损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg，最大值8.6nC）和输入电容确保了快速的开关速度，能有效减少开关损耗并提升系统频率。这些特性使其成为追求高效率电源设计的理想选择。
- 型号:STD5N60DM2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 3.5A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.55 欧姆 @ 1.75A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.6 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:375 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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