STS8DNF3LL技术参数详情：
STS8DNF3LL是ST意法半导体推出的一款采用STripFET II技术的双N沟道逻辑电平功率MOSFET，集成于8-SOIC封装中。该器件核心优势在于其低导通电阻与低栅极电荷的出色结合，在10V VGS、4A条件下RDS(on)典型值仅为20mΩ，同时Qg最大值低至17nC @ 5V，这使其在同步整流和开关电源应用中能同时实现高效率与高频率运行。
其30V的漏源电压和8A的连续电流能力，配合仅1V的最大栅极阈值电压，使其能够直接由低压微处理器驱动，广泛适用于空间受限的DC-DC转换器、电机控制及负载开关电路。器件结温最高可达150°C，确保了在苛刻环境下的可靠运行。
- 型号:STS8DNF3LL
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:不适用于新设计
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 配置:2 N-通道（双）
- FET 功能:逻辑电平门
- 漏源电压（Vdss）:30V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 4A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17nC @ 5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:800pF @ 25V
- 功率 - 最大值:1.6W
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:8-SOIC
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