STD5NM60T4技术参数详情：
STD5NM60T4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件采用DPAK表面贴装封装，核心额定参数为600V漏源电压（Vdss）与5A连续漏极电流（Id），为高压中等功率应用提供了坚实的基础。
其技术优势体现在优异的静态与动态性能平衡上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）典型值低至1欧姆，有助于最小化传导损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，典型18nC）和输入电容（Ciss）确保了快速的开关瞬态，有利于提升开关频率并降低驱动损耗。这些特性使其成为追求高效率与高功率密度的开关电源、功率因数校正（PFC）电路等应用的理想选择。
- 型号:STD5NM60T4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1 欧姆 @ 2.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:400 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:96W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
- 现在可以订购STD5NM60T4，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
