T835H-6G-TR

T835H-6G-TR是ST意法半导体生产的一款600V/8A表面贴装三端双向可控硅。该器件采用无缓冲器设计，显著简化了针对阻性和感性负载的交流相位控制电路，无需外部缓冲网络即可实现可靠的开关操作，降低了系统复杂性和成本。

其核心电气参数包括高达600V的断态电压和8A的通态电流能力，确保了在中等功率应用中的稳健性能。极低的栅极触发要求（Vgt≤1V， Igt≤35mA）使其易于被微控制器驱动。宽工作结温范围（-40°C至150°C）和强大的浪涌电流承受能力（Itsm达80A/84A）使其能够适应苛刻的工业与消费电子环境。

• 型号:T835H-6G-TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶闸管 > 双向可控硅
• 描述:TRIAC ALTERNISTOR 600V 8A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 双向可控硅类型:可控硅 - 无缓冲器
• 电压 - 断态:600 V
• 电流 - 通态 (It (RMS))（最大值）:8 A
• 电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值）:1 V
• 电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm):80A，84A
• 电流 - 栅极触发 (Igt)（最大值）:35 mA
• 电流 - 保持 (Ih)（最大值）:35 mA
• 配置:单路
• 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 供应商器件封装:D2PAK
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