STP10N105K5技术参数详情：
STP10N105K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5产品系列。该器件采用TO-220通孔封装，专为高压、高效率的功率转换应用而设计。
其核心优势在于高达1050V的漏源击穿电压（Vdss）与经优化的低导通电阻特性，在10V Vgs、3A Id条件下，Rds(on)最大值仅为1.3欧姆。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在21.5nC，有助于实现快速的开关动作并降低驱动损耗。该MOSFET在管壳温度下的连续漏极电流（Id）为6A，最大功耗为130W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定性和长寿命。
- 型号:STP10N105K5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 1050V 6A TO220
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:1050 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.3 欧姆 @ 3A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21.5 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:545 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:130W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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