STD6N90K5技术参数详情：
STD6N90K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh K5系列。该器件采用先进的超结技术，核心优势在于其900V的高漏源电压（Vdss）与低至1.1欧姆的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，这使其在高压开关应用中能显著降低传导损耗，提升能效。
在25°C壳温下，其连续漏极电流额定值为6A，最大功率耗散为110W，并采用散热性能良好的DPAK表面贴装封装。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，栅极驱动电压为标准的10V，确保了设计的简便性与在恶劣环境下的高可靠性。这些特性使其成为工业电源、电机驱动和功率转换等高压应用的理想选择。
- 型号:STD6N90K5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 900V 6A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:900 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.1 欧姆 @ 3A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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