STD6NK50ZT4

STD6NK50ZT4是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款高压N沟道MOSFET，采用DPAK表面贴装封装。其核心优势在于500V的漏源击穿电压（Vdss）与5.6A的连续漏极电流（Id）能力，为高压功率开关应用提供了坚实的基础。

该器件通过优化的技术实现了优异的静态与动态性能平衡。其导通电阻（Rds(on)）最大值仅为1.2欧姆，有助于降低导通损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg，最大值24.6nC）显著减少了开关损耗并简化了驱动设计，从而提升系统整体效率。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在恶劣环境下的可靠性。

• 型号:STD6NK50ZT4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 5.6A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 2.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:690 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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