STD70N03L-1技术参数详情：
STD70N03L-1是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，采用STripFET III技术和I-PAK通孔封装。其核心优势在于极低的导通电阻与优化的开关特性，旨在最大化功率转换效率。
该器件在10V Vgs下导通电阻（Rds(on)）低至7.3mΩ，配合70A的连续漏极电流能力，可显著降低传导损耗。同时，其栅极电荷（Qg）仅为21nC，有利于实现高速开关并减少驱动损耗。30V的漏源电压额定值使其成为低压、高电流开关应用的理想选择，例如同步整流和电机驱动。
- 型号:STD70N03L-1
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:IPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 70A IPAK
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):70A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.3 毫欧 @ 35A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:IPAK
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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