STD75N3LLH6

STD75N3LLH6是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用STripFET VI技术，封装形式为DPAK。该器件核心优势在于其卓越的电流处理能力与极低的导通损耗，在壳温25°C下连续漏极电流高达75A，且在10V V_GS、37.5A I_D条件下导通电阻典型值仅为5.5mΩ。

其电气参数设计针对高效开关应用进行了优化，栅极电荷（Q_G）最大值仅为17nC @ 4.5V，有助于实现快速开关并降低驱动损耗。器件额定漏源电压为30V，栅源电压范围达±20V，工作结温范围宽至-55°C ~ 175°C，确保了在低压大电流应用中的高可靠性和稳定性。

• 型号:STD75N3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 75A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):75A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.5 毫欧 @ 37.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1690 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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