STD78N75F4技术参数详情：
STD78N75F4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用DPAK表面贴装封装。该器件基于STripFET与DeepGATE技术，旨在提供优异的功率处理能力与开关效率。
其核心电气参数包括75V的漏源电压（Vdss）和高达78A（Tc）的连续漏极电流。在10V驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值极低，仅为11毫欧（@35A），显著降低了导通损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值控制在76nC，有利于实现快速开关并降低驱动功耗，适用于高效率功率转换设计。
- 型号:STD78N75F4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 75V 78A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:75 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):78A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 35A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:76 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5015 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
- 现在可以订购STD78N75F4，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
