STD7N60DM2技术参数详情：
STD7N60DM2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh DM2产品系列。该器件采用先进的平面技术，核心优势在于实现了低导通电阻与低栅极电荷的优化组合，旨在最大限度地降低高压应用中的功率损耗。
其关键电气参数包括600V的漏源电压（Vdss）和6A的连续漏极电流（Tc=25°C），确保了在高压大电流场景下的稳定运行。导通电阻（Rds(on)）低至900毫欧（@10V， 3A），配合仅7.5nC的栅极电荷（Qg），共同贡献了出色的开关效率与更低的驱动需求。器件采用DPAK表面贴装封装，结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于对可靠性和功率密度有较高要求的紧凑型设计。
- 型号:STD7N60DM2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-252（DPAK）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 6A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:900 毫欧 @ 3A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.5 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:324 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:TO-252（DPAK）
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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