STW70N65M2

STW70N65M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3封装，属于其高性能MDmesh M2产品系列。该器件设计用于高效功率转换，核心优势在于其650V的漏源电压（V_DSS）和63A（T_C）的连续漏极电流能力，为高功率应用提供了坚实的电压和电流基础。

其技术亮点在于极低的导通电阻，在10V栅极驱动下典型值仅为46mΩ，这直接转化为更低的导通损耗和更高的系统效率。同时，优化的栅极电荷（Q_g）和电容特性有助于实现快速的开关速度，降低开关损耗，使其适用于高频开关电源设计。宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）和高达446W的功率耗散能力，确保了其在苛刻环境下的可靠性与鲁棒性。

• 型号:STW70N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 63A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):63A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:46 毫欧 @ 31.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:117 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5140 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:446W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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