STU7N105K5技术参数详情：
STU7N105K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH5产品系列。该器件设计用于高电压开关应用，其核心参数包括1050V的漏源电压（Vdss）和4A（Tc）的连续漏极电流额定值，提供了坚固的电压阻断能力和适中的电流处理能力。
该MOSFET的关键优势在于其优化的动态与静态性能平衡。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）典型值低至2欧姆（@2A），有助于降低导通损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为17nC，输入电容（Ciss）为380pF（@100V），这些特性共同确保了快速、高效的开关行为，有利于提升电源系统的整体效率和功率密度。器件采用IPAK（TO-251）通孔封装，工作结温范围为-55°C至150°C，适用于要求严苛的工业环境。
- 型号:STU7N105K5
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:IPAK（TO-251）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 1050V 4A IPAK
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:1050 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 2A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:380 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:IPAK（TO-251）
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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