STD85N10F7AG技术参数详情：
STD85N10F7AG是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于符合AEC-Q101标准的汽车级STripFET产品系列。该器件采用DPAK封装，核心优势在于其100V的漏源电压（Vdss）和高达70A的连续漏极电流处理能力，同时实现了极低的导通电阻（典型值10毫欧 @ 10V, 40A），能显著降低导通损耗。
其设计兼顾了开关性能与驱动简便性，最大栅极电荷（Qg）仅为45nC，有助于提升开关频率并降低驱动电路复杂度。器件工作结温范围宽达-55°C至175°C，最大功耗85W，确保了在严苛环境下的高可靠性。这些特性使其成为汽车电子、高效电源转换及电机控制等应用的优选功率开关解决方案。
- 型号:STD85N10F7AG
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 100V 70A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):70A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 40A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3100 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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