STW5NK100Z技术参数详情：
STW5NK100Z是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH3产品系列。该器件核心优势在于其1000V的高漏源电压（Vdss）和3.5A的连续漏极电流（Id）能力，结合优化的3.7欧姆导通电阻，为高压应用提供了优异的电气性能。
其设计注重效率与可靠性，最大栅极电荷（Qg）仅为59nC，有助于实现快速开关并降低驱动损耗。器件采用TO-247-3通孔封装，最大功率耗散达125W，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，确保了在严苛环境下的稳定运行。这些特性使其成为开关电源、电机驱动等高压功率转换应用的理想解决方案。
- 型号:STW5NK100Z
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 1000V 3.5A TO247-3
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:1000 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.7 欧姆 @ 1.75A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:59 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1154 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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