STD8N80K5

STD8N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于先进的SuperMESH5产品系列。该器件采用表面贴装DPAK封装，核心规格包括800V的漏源电压（Vdss）和6A的连续漏极电流（Id），为高压应用提供了坚实的性能基础。

其技术优势主要体现在优异的开关性能与导通特性上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至950毫欧（@3A），有助于显著降低传导损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值16.5nC）和输入电容（Ciss）确保了快速的开关瞬态，从而减少开关损耗，提升整体能效。这些特性使其成为高效率开关电源和功率转换设计的理想选择。

• 型号:STD8N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 800V 6A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
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