STD90N02L-1技术参数详情：
STD90N02L-1是STMicroelectronics推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET III产品系列。该器件采用I-PAK通孔封装，额定电压25V，在壳温条件下可支持高达60A的连续漏极电流。
其核心优势在于极低的功率损耗。器件在10V Vgs驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为6毫欧（@30A），显著降低了传导过程中的能量损失。同时，较低的栅极电荷（Qg，最大值22nC @ 5V）确保了快速的开关速度和较低的驱动需求，有助于提升整体开关电源的效率和频率。
综合其电气特性，STD90N02L-1主要面向要求高效率和高电流处理能力的低压应用，如DC-DC转换、同步整流及电机控制等功率开关领域。
- 型号:STD90N02L-1
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:IPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 25V 60A IPAK
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:25 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 30A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2050 pF @ 16 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:IPAK
- 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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