STD90N02L技术参数详情：
STD90N02L是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET III产品系列。该器件采用DPAK封装，核心参数针对低压大电流开关应用进行了优化，具备25V的漏源电压（Vdss）和高达60A的连续漏极电流（Id）处理能力。
其关键优势在于极低的导通电阻，在10V Vgs下典型值仅为6毫欧，这能显著降低传导损耗。同时，其栅极电荷（Qg）最大值仅为22nC，确保了快速的开关速度和较低的动态损耗。这些特性使其成为同步整流、电机驱动和高效DC-DC转换器等应用的理想选择，有助于提升系统整体能效和功率密度。
- 型号:STD90N02L
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 25V 60A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:25 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):60A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 30A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2050 pF @ 16 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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