STD90N03L-1

STD90N03L-1是ST意法半导体推出的一款采用STripFET III技术的N沟道功率MOSFET，封装形式为通孔I-PAK。该器件核心优势在于其极低的导通电阻与出色的开关特性，旨在最大化低压、大电流应用的效率。

其关键电气参数包括30V的漏源电压（V_DSS）和高达80A（T_C=25°C）的连续漏极电流处理能力。在10V栅极驱动下，其导通电阻（R_DS(on)）最大值仅为5.7毫欧（@40A），配合最大32nC（@5V）的低栅极电荷，有效降低了导通与开关损耗。这些特性使其成为同步整流、电机驱动和高频DC-DC转换器等应用的理想选择。

• 型号:STD90N03L-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 80A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.7 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:32 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2805 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:95W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
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