STW30NM60ND技术参数详情：
STW30NM60ND是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能FDmesh II产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心规格为600V漏源电压（Vdss）和25A（Tc）连续漏极电流，专为应对严苛的高压开关环境而设计。
其技术亮点在于实现了优异的导通与开关性能平衡。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）最大值仅为130毫欧，有效降低了传导损耗。同时，较低的栅极电荷（Qg）典型值（100nC @10V）确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗，有利于提升系统效率与功率密度。这些特性使其成为工业电源、电机驱动和能源转换系统中高效功率开关的理想选择。
- 型号:STW30NM60ND
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 12.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2800 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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