STF3NK100Z技术参数详情：
STF3NK100Z是ST意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心参数包括1000V的漏源电压（Vdss）和2.5A的连续漏极电流（Id），为高压开关应用提供了坚实的基础。
其技术亮点在于优异的动态性能平衡：在10V驱动下，导通电阻（Rds(on)）仅为6欧姆（@1.25A），同时栅极电荷（Qg）低至18nC（@10V）。这种低Rds(on)与低Qg的组合，能够显著降低导通损耗和开关损耗，提升系统整体效率。器件支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，最大功耗25W，确保了在严苛环境下的可靠性与稳定性。
- 型号:STF3NK100Z
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 1000V 2.5A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:1000 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 欧姆 @ 1.25A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:601 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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