STD95N4F3

STD95N4F3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET III产品系列。该器件采用先进的沟槽栅技术，在40V的漏源电压（Vdss）额定值下，能够支持高达80A（Tc）的连续漏极电流，并实现了极低的导通电阻，典型值仅为6.5毫欧（@40A, 10V），显著降低了导通状态下的功率损耗。

其设计同时优化了动态特性，最大栅极电荷（Qg）低至54nC，这有助于实现快速开关并减少驱动电路的功耗。器件采用DPAK表面贴装封装，最大功耗为110W（Tc），工作结温范围覆盖-55°C至175°C，确保了在恶劣环境下的稳定性和耐久性。这些核心参数使其成为高效率电源转换和功率控制应用的理想选择。

• 型号:STD95N4F3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
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