STD95N4LF3

STD95N4LF3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET III产品系列。该器件采用DPAK封装，核心优势在于极低的导通电阻与出色的电流处理能力，其Rds(on)典型值低至6毫欧（@10V，40A），连续漏极电流高达80A（Tc），能够显著降低导通损耗，提升电源转换效率。

此外，器件具备40V的漏源电压额定值，栅极电荷（Qg）优化至70nC，支持5V/10V逻辑电平驱动，确保了快速开关性能和驱动简便性。其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）和110W（Tc）的功率耗散能力，使其能够稳定应对高功率密度应用中的热挑战。这些特性共同使其成为同步整流、电机驱动和高效DC-DC转换等应用的理想选择。

• 型号:STD95N4LF3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 80A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±16V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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