STFI10N62K3

STFI10N62K3是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能的SuperMESH3产品系列。该器件采用TO-281（I2PAKFP）通孔封装，核心特性包括620V的漏源击穿电压（Vdss）和8.4A的连续漏极电流（Id）能力，适用于中高功率的开关应用。

其技术亮点在于通过SuperMESH3技术实现了优异的导通与开关性能平衡：在10V Vgs下，导通电阻（Rds(on)）低至750mΩ（@4A），有助于降低传导损耗；同时，栅极电荷（Qg）最大值仅为42nC，配合1250pF的输入电容（Ciss），确保了快速的开关瞬态和较低的驱动损耗，有利于提升系统整体效率。器件工作结温范围为-55°C至150°C，提供可靠的运行鲁棒性。

• 型号:STFI10N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 620V 8.4A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:750 毫欧 @ 4A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:42 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1250 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
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