STD9N40M2

STD9N40M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II Plus系列。该器件采用DPAK封装，核心参数包括400V的漏源电压（Vdss）和6A的连续漏极电流（Id），为高压应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上：800毫欧的低导通电阻（Rds(on)）有效降低了导通损耗，而8.8nC的低栅极电荷（Qg）则确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗。这些特性使其成为追求高效率与高功率密度的开关电源、PFC电路及电机控制等应用的理想选择。

• 型号:STD9N40M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 400V 6A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:400 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:800 毫欧 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:270 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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