STN6N60M2技术参数详情：
STN6N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用表面贴装SOT-223-2封装。该器件隶属于先进的MDmesh M2产品系列，核心优势在于其600V的高漏源电压（Vdss）额定值与低至1.25欧姆的导通电阻（Rds(on)）的出色结合，能够在高压应用中显著降低导通损耗。
其技术参数针对高效开关应用进行了优化，在10V栅极驱动下，最大栅极电荷（Qg）仅为6.2nC，有助于实现快速的开关切换并降低驱动损耗。器件额定连续漏极电流（Id）为5.5A（Tc），工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的稳定运行和较高的功率处理能力。
- 型号:STN6N60M2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:SOT-223-2
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 5.5A SOT223-2
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.25 欧姆 @ 2A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6.2 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:220 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:6W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:SOT-223-2
- 封装/外壳:TO-261-3
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