STDLED524技术参数详情：
STDLED524是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用表面贴装DPAK封装。该器件核心优势在于其525V的高漏源击穿电压（Vdss）与4A的连续漏极电流（Id）能力的紧密结合，为中高压开关应用提供了坚实的基础。
其技术参数突出高效与快速开关特性：最大导通电阻低至2.6欧姆，有助于最小化传导损耗；同时，较低的栅极电荷（12nC）和输入电容（340pF）确保了快速的开关瞬态，有效降低开关损耗。器件支持-55°C至150°C的宽工作结温范围，最大功耗45W，展现出强大的环境适应性与可靠性，适用于要求严苛的电源转换与电机控制场景。
- 制造商产品型号：STDLED524
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET N-CH 525V 4A DPAK
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- FET类型：N 通道
- 技术：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）：525V
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：4A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：2.6 欧姆 @ 2.2A，10V
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 50A
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：12nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：340pF @ 100V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：45W（Tc）
- 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 器件封装：DPAK
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