STW68N60M6-4技术参数详情：
STW68N60M6-4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-4封装，隶属于先进的MDmesh M6产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心电气参数包括600V的漏源电压（Vdss）和在壳温（Tc）条件下高达63A的连续漏极电流（Id），提供了强大的功率处理能力。
其技术优势体现在极低的导通损耗与优化的开关性能上。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）最大值仅为41毫欧（@31.5A），同时栅极电荷（Qg）典型值控制在106nC，这有助于实现更高的系统效率和更快的开关频率。器件支持-55°C至150°C的宽结温工作范围，并采用带开尔文源极引脚的TO-247-4封装，以提升开关性能的稳定性和可控性。
- 型号:STW68N60M6-4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-4
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 63A TO247-4
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):63A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:41 毫欧 @ 31.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:106 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4360 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:390W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-4
- 封装/外壳:TO-247-4
- 现在可以订购STW68N60M6-4，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
