STE88N65M5

STE88N65M5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh V产品系列。该器件设计用于高压、大电流的开关应用，其核心规格包括650V的漏源击穿电压（Vdss）以及在管壳温度25°C下高达88A的连续漏极电流（Id）处理能力。

器件的关键优势在于其优异的导通性能与开关特性的平衡。其在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为29毫欧（@42A），有效降低了导通损耗。同时，204nC（@10V）的栅极电荷（Qg）有助于实现快速的开关切换，从而控制开关损耗。结合其ISOTOP封装提供的优异散热能力（最大功耗494W @ Tc）和150°C的最高工作结温，STE88N65M5为高功率密度和高效率的电源设计方案提供了可靠的功率开关解决方案。

• 型号:STE88N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:ISOTOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 88A ISOTOP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):88A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:29 毫欧 @ 42A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:204 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:8825 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:494W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:底座安装
• 供应商器件封装:ISOTOP
• 封装/外壳:ISOTOP
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