STF10N60M2技术参数详情：
STF10N60M2是意法半导体MDmesh II Plus系列中的一款高性能N沟道功率MOSFET。该器件核心优势在于其优化的技术平台，在600V的额定电压下，实现了低至600毫欧的导通电阻与仅13.5nC的栅极电荷的出色组合，这直接转化为更低的导通与开关损耗，提升了整体能效。
其电气参数设计均衡，在10V驱动下即可获得优异的导通特性，同时支持7.5A的连续电流和25W的功率耗散。TO-220FP封装提供了良好的散热路径，宽达-55°C至150°C的工作结温范围确保了其在各种环境下的可靠性。这些特性使其成为要求高效率和高可靠性的中功率开关电源及电机驱动应用的理想选择。
- 型号:STF10N60M2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:600 毫欧 @ 4A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.5 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:400 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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