STI34N65M5

STI34N65M5是意法半导体基于MDmesh V技术制造的一款N沟道功率MOSFET。该器件核心优势在于其650V的漏源电压（V_DSS）和28A（T_C）的连续漏极电流能力，为高压大电流应用提供了坚实的基础。

其技术亮点体现在优异的动态与静态性能平衡上：110毫欧（@10V，14A）的低导通电阻确保了高效的功率传输和低导通损耗，而62.5nC（@10V）的低栅极电荷则有利于实现高速开关并降低驱动需求，从而提升整体系统效率。器件采用I2PAKFP通孔封装，散热性能良好，工作结温范围覆盖-55°C至150°C，适用于要求严苛的工业环境。

• 型号:STI34N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-281（I2PAKFP）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 28A I2PAKFP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:62.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2700 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-281（I2PAKFP）
• 封装/外壳:TO-262-3 全封装，I2PAK
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