STF12NM60N技术参数详情：
STF12NM60N是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II产品系列。该器件采用TO-220FP封装，核心特性包括600V的漏源电压（VDSS）和10A的连续漏极电流（ID）能力，为高压开关应用提供了坚实的电压耐受性和电流处理基础。
其技术亮点在于优化的导通性能，在10V栅极驱动下，导通电阻（RDS(on)）最大仅为410毫欧（@5A），这有助于显著降低导通状态下的功率损耗。同时，较低的栅极电荷和输入电容特性有利于实现更快的开关速度和更高的开关频率，从而提升电源系统的整体效率。这些参数使其成为开关电源、功率转换等设计中追求高效率与高可靠性的关键元件选择。
- 型号:STF12NM60N
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:410 毫欧 @ 5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30.5 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:960 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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