STF12NM65技术参数详情：
STF12NM65是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用通孔式TO-220FP封装。该器件核心优势在于其650V的高漏源电压（Vdss）额定值以及高达11A（Tc）的连续漏极电流处理能力，为高压开关应用提供了坚实的电气基础。
其封装设计注重散热效能，便于实现有效的热管理，确保功率耗散。这些特性使其成为开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）和各类DC-DC转换拓扑中追求高可靠性与高效率的主开关元件的理想选择。
- 制造商产品型号：STF12NM65
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：MOSFET N-CH 650V TO220FP
- 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 产品系列：-
- 零件状态：有源
- FET类型：-
- 技术：-
- 漏源电压（Vdss）：-
- 25°C时电流-连续漏极(Id)：11A（Tc）
- 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
- 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
- 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
- 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
- Vgs（最大值）：-
- 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：-
- 工作温度：-
- 安装类型：通孔
- 器件封装：TO-220FP
- 现在可以订购STF12NM65，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
