STK850技术参数详情：
STK850是ST意法半导体推出的一款采用PolarPak封装的N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET产品系列。该器件设计用于30V、30A（Tc）的中高电流应用，其核心优势在于极低的导通电阻，典型值低至2.9毫欧（@10V Vgs, 15A），能显著降低传导损耗，提升系统整体能效。
此外，该器件具备快速的开关特性，最大栅极电荷(Qg)仅为32.5nC，有助于实现高效率的高频开关操作。其工作结温范围宽达-55°C至150°C，并采用表面贴装设计，适合要求高功率密度和高可靠性的紧凑型电源与电机驱动解决方案。
- 型号:STK850
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PolarPak
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 30A POLARPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.9 毫欧 @ 15A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:32.5 nC @ 4.5 V
- Vgs（最大值）:±16V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3150 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:5.2W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:PolarPak
- 封装/外壳:PolarPak
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